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PD-400C高真空磁控溅射系统

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产品概述:

PD-400C系列磁控溅射镀膜设备配备多只圆形平面靶或矩形平面靶,采用DC、DC脉冲、RF电源,该系列设备真空机电一体化设计占地小(宽650*深1100mm),自动化程度高;核心部件进口国内组装,性价比高;模块化设计,可扩展性和高可靠性;广泛应用于科研院所、实验室制备单层或多层薄膜,以及新材料、新工艺研究。

详细信息
设备概述:
      该磁控溅射系统的用户群体为科研院所与高校实验室,核心部件均采用欧美知名品牌,技术先进,性能稳定,自动化程度高可替代进口。
其主要特点有:
★ 前开门溅射腔体;
★ 国产分子泵和直联旋片泵,可选配进口分子泵和干泵系统;
★3个磁控靶位,磁控靶规格有50mm,75mm可选,选用欧美知名品牌;
★ 兼容直流和射频溅射源,溅射金属、非金属及化合物薄膜(如:ITO)等;
★ 朝上或朝下溅射;
★ 2-4英寸基片/或根据客户指定的基片来定制基片台,基片旋转,可加偏压;基片加热500℃;
★ 2~4路工艺气体;
★ 良好的薄膜均匀性和重复性,可沉积金属、半导体和绝缘材料,可拓展沉积多层膜及复合膜。
主要技术指标

真空室 Φ400×H350mm;304不锈钢真空室,内表面镜面抛光
真空系统 国产分子泵+合资机械泵或进口分子泵+进口机械泵/干泵
极限真空 优于5.0×10-5Pa
恢复真空时间 达到9×10-4Pa≤20min
溅射靶 2只2英寸溅射靶;3只2英寸溅射靶;2只3英寸溅射靶;3只3英寸溅射靶或2只矩形平面靶多种组合
溅射电源 DC,DC脉冲,RF
基片台 2-4英寸基片/或根据客户指定的基片来定制基片台,基片旋转,可加偏压;基片加热500℃;
工艺气体 2~4路工艺气体,可拓展
膜厚不均匀性 ±3%~±5%
电控系统 可实现全自动控制,可编程控制器(PLC),液晶显示触摸屏
选配 冷却循环水机/膜厚监控仪/基片台加热或水冷/溅射电源/偏压电源/恒压控制系统