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产品概述：
该系统采用模块化设计理念，主要由真空模块、前驱体输运模块、全封闭气体反应模块和电子控制模块四个可拆装的模块组成，满足超净室标准；系统结构紧凑、集成度高，可实现全流程自动化控制，具有均匀性好、技术指标广泛可调、适用范围广等特点。该机具有连续和停留模式自由选择，可在平面及三维结构材料上沉积薄膜。可用于生长多种氧化物及其复合薄膜的制备，广泛应用于high-K栅极绝缘层、OLED封装层、太阳能电池钝化层、锂离子电池、光学元件镀膜、MEMS等诸多领域。
| 主要参数 | |
| 真空腔室 | 6061铝阳极氧化处理，腔室内尺寸Φ200×10 mm |
| 真空系统 | 双极旋片油泵，抽速度不小于16 m3/h；气动真空阀门+耐污染薄膜真空计 |
| 极限真空 | 系统极限优于5.0×10-3Torr，系统真空漏率小于5*10-10 Pa.m3/s |
| 样品台尺寸 | 4英寸样品托，兼容4 inch及以下样品尺寸 |
| 样品台温度 | 4英寸内样品表面加热温度最高可达300℃，温度控制精度±0.5℃ |
| 前驱体路数 | 3路可加热至200℃的金属驱体源和1路水以及臭氧前驱体源 |
| 吹扫管道 | 2路质量流量计控制前驱体源吹扫管道，分别吹扫金属前驱体源和水前驱体源管道 |
| 生长模式 | 连续和停留沉积模式选择 |
| 控制系统 | PLC+工控机+触摸屏人机交互界面 |
| 电源功率 | 50-60Hz，380VAC /20A交流电源 |
| 沉积非均匀性 | 在8inch硅片上，沉积500ycle氧化铝非均匀性<±1% |
| 仪器尺寸 | 780mm x 750 mm x 1100 mm（长*宽*高） |
| 可沉积材料种类 | SiO2、TiO2、SnO、FeO、CoO、NiO、Al2O3、ZnO、HfO2、ZrO2、MgO等 |
| 结构简述 | |
| 机架 | （1）防指纹不锈钢面板+铝型材框架结构，产品档次高、减轻了设备重量和体积； （2）一体化分区模块设计，结构简洁明了、维护方便； （3）显示器人机操作，根据人体工程学设计，用户体检佳。 |
| 真空腔室 | （1）沉积腔室由316L不锈钢主腔室和6061镁铝上腔盖组成，其中主腔室电解抛光处理，上腔盖内、外表面阳极氧化处理。腔室及真空抽气管路的连接采用耐温全氟橡胶圈密封，真空漏率小于5*10-7Pa.L/s； （2）主腔室气流为水平流结构，样品水平置于主腔室内，前驱体源从主腔室一侧流经样品表面发生吸附反应，残余前驱体源及反应产物从另一侧抽气口抽走，可放置8inch及以下尺寸平面样品的镀膜要求； （3）采用真空外外热式加热设计，腔体底部和腔盖均设置有独立温控的铠装加热器，4英寸内加热温度为室温至300℃，控制精度±0.5℃； （4）4英寸面积硅片上沉积300cycle氧化铝薄膜厚度的非均匀性偏差≤±1%； |
| 前驱体源系统 | （1）配置3路加热前驱体源系统，加热源装置及输运管路的最高加热温度可达到200℃，温度控制精度为±0.5℃，其到反应腔的管路系统配置保温隔热功能；每路加热源均配备1个Swagelok快速高温ALD专用阀门、1个高温手动阀和1个50mL不锈钢源瓶； （2）1路独立常温液态源，配备1个Swagelok快速高温ALD专用阀门、1个高温手动阀和1个50mL不锈钢源瓶；可接去离子水源和臭氧发生器产生的臭氧前驱体源； （3）配置高浓度臭氧发生器以及循环冷却水系统，包括管路、针阀、单向阀等，臭氧发生器产量为30 g/h，浓度最大可达120 mg/L，与水前驱体源共用1路ALD阀和载气吹扫系统； （4）金属前驱体源和水前驱体源分别采用独立的惰性气体吹扫管路，2路前驱体源采用2条独立的吹扫管路分别从2个独立的进口进入到反应腔室，避免交叉污染； （5）工艺气体管路均采用EP级电抛光不锈钢材料，能避免被前躯体腐蚀；所有气体管路连接部件均采用金属VCR密封； （6）前驱体源系统在更换源料瓶后，管路及其与之相联接的管路和阀门具有在线清功能。 |
| 真空系统 | （1）配置高性能双极旋片真空泵，抽速不小于16 m3/h； （2） 配置耐污染薄膜压力传感器用于全压强变化的实时监测，压力检测范围为10-4~1 Torr； （3）抽气管路配置热阱，用于吸附分解未反应的前驱体源，有效保护真空泵。热阱最高加热温度能够达到600℃，温度控制精度为±0.5℃； （4）抽气管路加热温度最高可达150℃，温度控制精度±0.5℃，配置气动截止阀1个； （5）配备有使前驱体在短时间内充分饱和吸附的装置，满足高深宽比材料沉积的要求，可选用高速沉积的连续模式或沉积超高纵深比的停流模式。 |
| 自动控制系统 | （1）软件控制系统为PLC控制系统和高性能4U工控机组成，高速数据采集和高可靠性，可连续长时间运行，人机界面操作通过显示器进行交互； （2）能在同一界面中实现对沉积参数、沉积循环次数、温度、载气流量等方便的进行控制，可以用软件在计算机上设定薄膜沉积条件及工艺参数，能全自动运行，并可以显示系统运行中的各个参数，控制设备的各个单元包括水源、气源、加热温度、气体流量、沉积压强、以及配方参数运行状态等； （3）操作系统集工艺配方、参数设置、权限设定、互锁报警、状态监控和自我保护措施等功能于一体，方便快捷、高效稳定地为用户提供安全可靠的操作； （4）系统配置数据采集和快速故障诊断功能，通过对工艺参数的实时监控和报警分析，快速故障诊断，实现对原子层沉积工艺的稳定控制，具有可靠的保护功能，以防止CVD反应而污染设备； （5）具有历史记录功能，实现对沉积过程的跟踪，方便试验数据存储和查找故障； （6）恰当完备的用户角色管理机制，按设备操作者角色设定权限，防止误操作，保证设备和人身安全； （7) 独立电气控制柜，强电和弱电布局走线分离，控制元器件之间有足够的散热空间。设备的电气控制系统安全可靠，维护方便，满足3C和CE标准。 |
| 使用要求（需方提供） | |
| 安装场地 | 1、地面平整，设备周围无强烈振动、无强电磁场影响；无易燃、易爆、腐蚀性物质；2、占地面积：镀膜机尺寸为780mm x 750 mm（长*宽），考虑到配套设备及维修空间，建议预留1500mm*1500mm的空间； 3、环境温度：＜25℃，恒温，环境湿度：＜50%R.H。 |
| 供电要求 | 1、设备供电总功率约8.5 kW，AC380V，三相五线制； 2、需要有独立地线：＜3 Ω，从设备到地线连接建议采用≥10mm2的扁平铜线； |
| 供气要求 | 1、空压机或者压缩空气钢瓶：高压低燥声气体压缩机，0.5MPa，6mm快插接头； 2、高纯氮气1瓶（纯度为5N及以上），1/4inch卡套接头。 |
| 尾气排放 | 1、KF40真空泵尾气排放接口，直排大气或者尾气处理系统 |
