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设备特点：
★兼容直流和射频溅射源，溅射金属、非金属及化合物薄膜
★良好的薄膜均匀性和重复性，可沉积金属、半导体和绝缘材料，可拓展沉积多层膜及复合膜
★3个3英寸圆形靶枪，杆状安装，共焦向上溅射
设备参数：
★腔体尺寸（L×W×Hmm)：850×1100×1900
★设备尺寸（L×W×Hmm)：400×400×380
★基片台：最高温度 600℃控温误差±5℃
★真空极限：（5E﹣05）Pa
★抽速保压：（8E﹣04）Pa≤30min保压12小时≤8pa
★托盘均匀性优于±3％~±5%
★溅射靶枪三个（2-3英寸）溅射尺寸2-4英寸
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