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磁控溅射是利用磁场束缚电子的运动（即磁控管模式），其结果导至轰击基片的高能电子的减少和轰击靶材的高能离子的增多，使其具备了“低温”、“高速”两大特点。磁控溅射法制备的薄膜厚可控性和重复性好、薄膜与基片的附着能力强，膜层纯度高。
设备参数：
★真空室：∅220mm*H280mm（可选石英腔体或不锈钢腔体）；
★真空系统：8立方机械泵一台（预留分子泵接口，可选装），配备KF25角阀一只，数显真空计一台，含金属规管（配触摸屏系统采用进口规管）；
★进气系统：配置一质量流量控制器控制进气，另配一路放气阀；
★溅射系统：配置一套2或者3inch磁控溅射靶，溅射靶高度可调。直流溅射电源（可选配射频电源）一套，旋转样品台一件，（可选配带偏压功能旋转样品台）；
★设备台架：金属台架，外形尺寸约480*480*600mm，表面喷塑处理；
★标配PLC+触摸屏控制。
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